菅原 宏治（スガワラ ヒロハル） 2012年度

研究業績

学会発表（国内）

1. 田之上文彦, 菅原宏治. 赤羽浩一, 山本直克, 高速MBE成長法によって作製した高利得19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザ, 電子情報通信学会 LQE,, 2012年12月
2. 田之上文彦, 菅原宏治. 赤羽浩一, 山本直克, 19層積層InGaAs量子ドットレーザの線幅増大係数の測定, 2012年秋季 第73回　応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, 2012年9月
3. 井筒飛鳥，五十嵐誉，久保元気，菅原 宏治, レーザアブレーション法によるマグネシウムシリサイド・ドロップレットの室温結晶化, 応用物理学会 シリサイド系半導体夏の学校, 横須賀市、2012年7月

学会発表（国際）

1. H. Sugawara, F. Tanoue, K, Akanane, N. Yamamoto, "Fabrication and characterization of highly stacked InGaAs quantum dot laser diodes with ultrahigh-rate molecular beam epitaxial growth technique", 2nd Annual World Congress of Nano-Science and Technology, 2012, Qing Tao, China, 2012年10月
2. F. Tanoue, H. Sugawara, K. Akahane, N. Yamamoto, "High Threshold Modal Gain Based on Highly Stacked InGaAs Quantum Dot Laser Diode", 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC2012), San Diego, USA, 2012年10月
3. F. Tanoue, H. Sugawara, K. Akahane, N. Yamamoto, "Gain Measurement of Highly Stacked InGaAs Quantum Dot Laser with Hakki-Paoli Method," 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Nagoya, Japan, 2012年9月
4. H, Sugawara, T. Igarashi G.Kubo, "Crystallization of Magnesium Silicide Droplets on Unheated Silicon Substrate by Pulsed Laser Deposition", IUMRS-ICEM2012, Yokohama, Japan, 2012年9月
5. F. Tanoue, H. Sugawara, K. Akahane, N. Yamamoto, "99-μm-long-cavity Laser Diode Using Highly Stacked InGaAs Quantum Dots", Conference on Lasers and Electro-Optics 2012 (CLEO2012), 2012年6月

委員等（学会活動）

1. 公益社団法人応用物理学会　シリサイド系半導体と関連物質研究会 幹事。 2012年7月 「第20回シリサイド系半導体夏の学校」世話人
2. APAC-Silicide 2013 (2013年7月開催予定), プログラム委員

国内の他機関との連携による研究活動実績

1. 独立行政法人 情報通信研究機構 「半導体ナノ構造材料と光デバイス開発」に関する共同研究。