菅原 宏治（スガワラ ヒロハル） 2014年度

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研究業績

学会発表（国内）

  1. 「高密度InAs歪量子ドットを活性層に含むリッジレーザの作製と評価」伴 龍太郎, 菅原 宏治, 赤羽 浩一, 山本 直克, 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, [13p-P4-1], 2015年3月11～14日.
  2. 「SPS法で作製したNi-Mg2Si界面の断面TEM観察 (2)」菅原 宏治, 山崎 由布紀, 中村 新一, 中村 重之, 森 嘉久, 財部 健一, 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, [13a-A25-5], 2015年3月11～14日.
  3. 「SPS法で作製した Ni-Mg2Si 界面の断面TEM観察」, 菅原宏治,　排熱発電コンソーシアム, 第24回講演会, 2015年1月26日, 東京理科大学 森戸記念館.
  4. 「ナノ構造エレクトロニクス材料の物性・構造の高度な評価」伴龍太郎, 菅原宏治, システムデザインフォーラム, ポスター発表, 2014年10月1日, 東京都立大学 日野キャンパス.
  5. 「SPS法で作製したNi-Mg2Si界面の断面TEM観察」菅原 宏治, 山崎 由布紀, 中村 新一, 中村 重之, 森 嘉久, 財部 健一, 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学, [13a-A25-5], 2014年9月17～20日.
学会発表（国際）

  1. “Photoluminescence Study of Self-Assembled InGaAs Quantum Dot Structure Prepared by Ultrahigh-rate Molecular Beam Epitaxial Growth Technique”, Hiroharu Sugawara，Fumihiko Tanoue，Shigehiro Kitamura, Toshio Katsuyama，Kouichi Akahane，Naokatsu Yamamoto, JSAP-OSA Joint Symposia, 20p-C1-4, Sept. 17—20, 2014, Hokkaido University, Japan.
  2. “Time-Resolved Photoluminescence Study of InGaAs Quantum Dot Structure Prepared by Ultrahigh-rate Molecular Beam Epitaxial Growth Technique”, Hiroharu Sugawara, Fumihiko Tanoue, Shigehiro Kitamura, Toshio Katsuyama, Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto, 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2014), Sept. 7-10, 2014, TP22, Palma de Mallorca, Spain.
  3. “3D visualization of crystal structures of semiconducting silicides on WEBGL-enabled modern web browsers”, Ryutarou Ban and Hiroharu Sugawara, International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technology (ICSS-SILICIDE 2014) , July 19—21, 2014, 20-P18, Tokyo University of Science, Katsushika Campus, Tokyo, Japan.
委員等（民間団体・学術団体）

  1. 応用物理学会 シリサイド系半導体関連物質研究会 幹事.
  2. ICSS-SILICIDE 2014, Program Committee.
教員・研究紹介